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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
17.5
写入速度,GB/s
8.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3146
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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