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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.2
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
56
读取速度,GB/s
10.2
10.1
写入速度,GB/s
8.1
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2307
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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