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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
81
左右 40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
81
读取速度,GB/s
10.2
12.7
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1460
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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