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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
58
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
58
读取速度,GB/s
10.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1968
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
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