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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2950
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
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