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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
9.8
12.4
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
1886
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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