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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.8
14.0
写入速度,GB/s
8.0
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2310
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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