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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
9.8
17.4
写入速度,GB/s
8.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3527
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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