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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.8
16.1
写入速度,GB/s
8.0
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2607
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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