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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.8
16.1
写入速度,GB/s
8.0
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2607
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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