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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
52
左右 -189% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
18
读取速度,GB/s
9.8
20.8
写入速度,GB/s
8.0
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3650
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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