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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.8
17.3
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3340
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
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