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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
9.8
19.0
写入速度,GB/s
8.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3435
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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