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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.8
19.0
写入速度,GB/s
8.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3695
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
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