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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
9.8
16.6
写入速度,GB/s
8.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3009
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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