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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
9.8
16.8
写入速度,GB/s
8.0
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3154
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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