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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.8
18.7
写入速度,GB/s
8.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3530
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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