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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
52
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
36
读取速度,GB/s
9.8
15.1
写入速度,GB/s
8.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2871
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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