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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
53
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
53
读取速度,GB/s
9.8
13.5
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2871
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
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