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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.8
18.2
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3384
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre 8GB
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