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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
52
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
39
读取速度,GB/s
9.8
13.4
写入速度,GB/s
8.0
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2333
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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