RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
52
左右 -206% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
17
读取速度,GB/s
9.8
22.0
写入速度,GB/s
8.0
16.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3704
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link