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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
52
左右 -174% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
19
读取速度,GB/s
9.8
20.2
写入速度,GB/s
8.0
18.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3905
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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