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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.8
17.7
写入速度,GB/s
8.0
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3491
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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