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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
75
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
75
读取速度,GB/s
9.8
14.3
写入速度,GB/s
8.0
6.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
1548
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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