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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.8
18.8
写入速度,GB/s
8.0
16.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3664
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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