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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.8
19.7
写入速度,GB/s
8.0
16.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3927
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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