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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
52
左右 -30% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
40
读取速度,GB/s
9.8
9.3
写入速度,GB/s
8.0
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
1773
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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