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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
52
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
50
读取速度,GB/s
9.8
10.2
写入速度,GB/s
8.0
7.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2064
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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