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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
9.8
16.3
写入速度,GB/s
8.0
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2637
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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