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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
AMD R748G2400S2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
135
左右 67% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
135
读取速度,GB/s
11.2
15.2
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1359
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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