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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
35
读取速度,GB/s
11.2
14.6
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2636
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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