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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB 需要考虑的原因
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 44
    左右 -132% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.6 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.6 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 19.6
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 16.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 3165

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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内存RAM
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SK Hynix Kingston 4GB
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内存RAM
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