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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
11.2
19.7
写入速度,GB/s
8.1
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3484
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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