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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3323
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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