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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
14.8
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2955
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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