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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
11.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3237
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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