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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
11.2
14.4
写入速度,GB/s
8.1
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3078
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
INTENSO 5641152 4GB
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