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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
19.0
写入速度,GB/s
8.1
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3695
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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