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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
68
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
68
读取速度,GB/s
11.2
16.1
写入速度,GB/s
8.1
9.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2037
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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