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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.2
16.5
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3128
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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