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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
44
左右 -144% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
18
读取速度,GB/s
11.2
20.1
写入速度,GB/s
8.1
19.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3704
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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