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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
11.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2787
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
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