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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
44
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
42
读取速度,GB/s
11.2
15.5
写入速度,GB/s
8.1
14.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3170
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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