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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
11.2
16.7
写入速度,GB/s
8.1
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3598
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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