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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
20.3
写入速度,GB/s
8.1
17.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3983
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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