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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
11.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2466
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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