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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
11.2
15.0
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2827
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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