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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2589
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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