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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
11.2
16.2
写入速度,GB/s
8.1
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3048
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
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