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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
11.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2618
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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